Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R1K0CEB
IPD80R1K0CEBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R1K0CEBTMA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 5.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde ve yüksek voltaj motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. 950mΩ RDS(on) değeriyle verimli iletim sağlar. TO-252-3 DPak paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 31nC gate charge ve 785pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel ve elektrik güç uygulamaları için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok