Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80P03P4L07
IPD80P03P4L07ATMA1 Hakkında
IPD80P03P4L07ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 6.8mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 88W maksimum güç tüketimi ile güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate yükü 80nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok