Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80N06S3
IPD80N06S3-09 Hakkında
IPD80N06S3-09, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8.4mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 88nC @ 10V olup hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok