Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Hakkında
IPD80N04S306ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, düşük 5.2mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Maksimum 100W güç ısıtması ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundir. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışan cihaz, hızlı anahtarlama ve düşük kayıp gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok