Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1 Hakkında
IPD800N06NGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 16A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 80mOhm (Rds On) ile düşük iletim direncine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 47W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarına uygundur. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilen cihaz, düşük gate charge (10nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok