Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD78CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD78CN10NGA
IPD78CN10NGATMA1 Hakkında
IPD78CN10NGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 78mOhm maksimum drain-source direnci (10V gate geriliminde) düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket türünde sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 11nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 716 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok