Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD75N04S406
IPD75N04S406ATMA1 Hakkında
IPD75N04S406ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük voltaj güç uygulamalarında kullanılır. 5.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 58W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (32nC) hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 26µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok