Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70R950CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70R950CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1 Hakkında
IPD70R950CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source voltaj ve 7.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değeri (950mOhm @ 1.5A, 10V) sunar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel güç yönetimi, anahtarlama devreleri, AC-DC konvertörleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 15.3nC gate charge ve 328pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok