Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70R900P7S
IPD70R900P7SAUMA1 Hakkında
IPD70R900P7SAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 900mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup, power supply uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 30.5W maksimum güç tüketim kapasitesine sahip olan bu MOSFET, düşük gate charge (6.8nC) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 211 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok