Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70R600CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70R600CEA
IPD70R600CEAUMA1 Hakkında
IPD70R600CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilim ve 10.5A sürekli dren akımı ile uygulamalar için tasarlanmıştır. Super Junction teknolojisi ile düşük on-resistance (600mOhm @ 1A, 10V) sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.5V gate threshold gerilimi ile kontrol edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 86W güç tüketir. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol ve yüksek gerilim dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 474 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok