Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70R2K0CEAUMA1
IPD70R2K0CEAUMA1 Hakkında
IPD70R2K0CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 700V N-Channel Super Junction MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 4A sürekli kanal akımı ve 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 7.8nC gate charge ve 163pF input capacitance özellikleriyle switching hızı ve enerji verimliliği açısından optimize edilmiştir. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Boost konvertörleri, offline adaptörler, solar inverter uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 163 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok