Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70R1K4P7
IPD70R1K4P7SAUMA1 Hakkında
IPD70R1K4P7SAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketiyle tasarlanmış olan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 1.4Ω maksimum on-direnç değeri ile ısı kaybını minimize eder. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 158 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok