Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70R1K4CEA
IPD70R1K4CEAUMA1 Hakkında
IPD70R1K4CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisine dayalı bu bileşen, 5.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponentin maksimum RDS(on) değeri 1.4Ω'dur ve 10.5nC gate charge karakteristiği düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, 53W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Yüksek voltajlı enerji dönüştürme uygulamaları, DC-DC konverterler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. Part Status olarak üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok