Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD70P04P409ATMA2

MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD70P04P409ATMA2

IPD70P04P409ATMA2 Hakkında

IPD70P04P409ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 73A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 8.9mΩ on-resistance değeri ile güç israfı minimize edilir. TO-252-3 (DPak) paket tipi, surface mount montajına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yük yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve ±20V gate gerilim aralığı ile çok yönlü tasarım esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 70A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 120µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok