Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70N12S311A
IPD70N12S311ATMA1 Hakkında
IPD70N12S311ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 70A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11.1mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 125W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 65nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok