Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70N12S3-11
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70N12S3
IPD70N12S3-11 Hakkında
IPD70N12S3-11, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 70A sürekli dren akımı, 120V dren-kaynak gerilimi ve 11.1mΩ RDS(on) değerleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 65nC kapı yükü ve düşük statik direnç özellikleriyle güç elektronikleri devrelerinde, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve yüksek akımlu anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında ve ±20V maksimum kapı geriliminde güvenli şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok