Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70N10S312ATMA1
IPD70N10S312ATMA1 Hakkında
IPD70N10S312ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 11.1mOhm RDS(On) değeri ile düşük açık direnç sağlayan bu transistör, güç elektoniği uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. Motor kontrol, çevirici devreler, güç yönetimi ve röle sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok