Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD70N03S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD70N03S4L04
IPD70N03S4L04ATMA1 Hakkında
IPD70N03S4L04ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 4.3mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±16V gate gerilimi toleransı ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C) endüstriyel ortamlar için uygunluğunu arttırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok