Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R950C
IPD65R950CFDATMA2 Hakkında
IPD65R950CFDATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.9A sürekli drain akımı kapasitesi ve 950mΩ maksimum on-resistance değeri ile power switching uygulamalarında verimliliği sağlar. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok