Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R660CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R660CFDBR
IPD65R660CFDBTMA1 Hakkında
IPD65R660CFDBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source geriliminde 6A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 10V gate geriliminde 660mΩ on-state direnci ile güç kaybı minimize edilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, endüstriyel sürücü devreleri, enerji dönüştürme sistemleri ve AC/DC konvertörlerde kullanım alanı bulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 22nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok