Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R660CF
IPD65R660CFDAATMA1 Hakkında
IPD65R660CFDAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 6A sürekli akım kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 660mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 62.5W güç dağıtabilir. 4.5V kapı eşik gerilimi ve 20nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 543 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 3.22A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 214.55µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok