Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R650CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R650CE
IPD65R650CEATMA1 Hakkında
IPD65R650CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi kullanan bu bileşen, 10.1A sürekli dren akımı ve düşük on-resistance (RDS(on): 650mOhm @ 10V) özellikleriyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponent, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve dc-dc dönüştürücülerde uygulanmaktadır. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 86W güç yayınlayabilir. Bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, benzer özelliklere sahip alternatif modeller önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok