Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R600E6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R600E6
IPD65R600E6BTMA1 Hakkında
IPD65R600E6BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 7.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeriyle çalışır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 63W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok