Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R600E6
IPD65R600E6ATMA1 Hakkında
IPD65R600E6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Part Status olarak Last Time Buy konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok