Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R420CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R420CFDA
IPD65R420CFDATMA2 Hakkında
IPD65R420CFDATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 8.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 420mOhm maksimum on-dirençi ile verimli iletken duruma geçiş sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 83.3W'a kadar güç saçabileceği için termal yönetimi gereken uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok