Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R380E6
IPD65R380E6BTMA1 Hakkında
IPD65R380E6BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 380mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 39nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. Bileşen durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok