Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R380C6
IPD65R380C6BTMA1 Hakkında
IPD65R380C6BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 380mΩ on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, anahtar modunda çalışan güç elektronikleri devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve enerji yönetim sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. 39nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği taşır. Ürün obsolete durumunda olup, yeni tasarımlarda güncel alternatifler kullanılmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok