Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R380C6
IPD65R380C6ATMA1 Hakkında
IPD65R380C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.6A sürekli dren akımı kapasitesi sayesinde güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalar için uygundur. 380mΩ (maksimum) RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. TO-252-3 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığını destekler. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok