Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R250E6XTMA1
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R250E6
IPD65R250E6XTMA1 Hakkında
IPD65R250E6XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. 16.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi sayesinde güç yönetimi, anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 250mΩ tipik on-direnci ile minimum güç kaybı sağlar. TO252-3 (DPak) paket türü, kompakt PCB tasarımları için uygun olan yüzey montajlı bir komponenttir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (45nC) hızlı anahtarlamayı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok