Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R225C7ATMA1
IPD65R225C7ATMA1 Hakkında
IPD65R225C7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim kapasitesine sahip olup, 25°C'de 11A sürekli dren akımı sağlayabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 225mΩ'luk düşük on-state direnç (Rds On) sayesinde ısı kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürücü voltajı ile uyumlu tasarımı, standart kontrol elektroniklerle entegrasyon kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 996 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok