Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD65R1K5CEAUMA1
IPD65R1K5CEAUMA1 Hakkında
IPD65R1K5CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi, 5.2A sürekli akım yeteneği ve 1.5Ω (10V, 1A) RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 225pF giriş kapasitansı ve 10.5nC gate yükü ile hızlı komütasyon özelliği sunar. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 53W güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Part status 'Last Time Buy' olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok