Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD650P06NMATMA1
IPD650P06NM - 60V P-CHANNEL POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD650P06NM
IPD650P06NMATMA1 Hakkında
IPD650P06NMATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 60V P-Channel Power MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 22A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Gate-Source gerilimi ±20V'a kadar tolerans göstermekte, 10V kontrol geriliminde 65mΩ Rds(On) değeri ile başlangıç kaynağı direncini sağlamaktadır. 83W maksimum güç tüketimine karşılık gelen bu transistör, -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve motor kontrol devreleri gibi düşük taraf anahtarlaması gereken uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.04mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok