Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD650P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD650P06N
IPD650P06NMATMA1 Hakkında
IPD650P06NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 22A sürekli dren akımı (Id) ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 65mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 83W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 10V sürücü geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.04mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok