Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD64CN10N
IPD64CN10N G Hakkında
IPD64CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi yapmak için tasarlanmıştır. 64mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolleri, PWM uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaktadır. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 9nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 569 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok