Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD640N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD640N06L
IPD640N06LGBTMA1 Hakkında
IPD640N06LGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltaj ve 18A sürekli akım kapasitesiyle, düşük direnç (64mOhm @ 10V, 18A) sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında 47W güç dağıtabilir. Düşük kapı yükü (13nC @ 10V) ve küçük giriş kapasitansi (470pF @ 30V) hızlı anahtarlama işlemi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 16µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok