Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R950C6
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R950C6
IPD60R950C6 Hakkında
IPD60R950C6, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 10V gate sürüş geriliminde 950mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp özelliği sunar. 13nC gate charge ve 280pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde tercih edilen bir transistördür. Maksimum 37W güç tüketimi kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok