Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R800CEAUMA1
CONSUMER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R800CEA
IPD60R800CEAUMA1 Hakkında
IPD60R800CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) kasa türünde sunulan bu bileşen, 8.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 800mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 17.2nC gate charge ve 373pF input kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışır, 74W güç dissipasyonu kapasitesiyle güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim toleransı ile esnek tasarım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-344 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok