Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R800CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R800C
IPD60R800CEATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R800CEATMA1, 600V drain-source geriliminde çalışan bir N-Channel MOSFET transistördür. 25°C'de 5.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 48W güç dağıtımı yapabilmektedir. RDS(On) değeri 10V'ta 800mOhm olup, düşük gate yükü (17.2nC) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan IPD60R800CEATMA1, -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynağı uygulamaları, motor kontrol, LED sürücüsü ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.5V eşik gerilimi ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok