Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R750E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R750E6
IPD60R750E6BTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R750E6BTMA1, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 5.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 750mΩ on-resistance değeri ile güç elektronik uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Düşük gate charge (17.2 nC) karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. SMPS, motor kontrol devrelerivve diğer güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok