Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R750 - 600V COOLMOS N-CHANN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R750
IPD60R750E6ATMA1 Hakkında
IPD60R750E6ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel COOLMOS MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 750mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 48W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 373 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok