Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R650CE
IPD60R650CEAUMA1 Hakkında
IPD60R650CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 9.9A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 650mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, invertör topologilerinde, sürücü ve kontrol sistemlerinde uygulanır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, tüketici elektroniğinden endüstriyel uygulamalara kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-344 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok