Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R600P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R600P7
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R600P7SE8228AUMA1, 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. Gate charge karakteristiği 9nC olup, hızlı anahtarlama için uygun tasarlanmıştır. Maksimum 30W güç tüketimi ile AC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve indüktif yük uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok