Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R600P7
IPD60R600P7ATMA1 Hakkında
IPD60R600P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketidir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kayıpları minimize edilmiş tasarıma sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi toleransı ve 4V gate eşik gerilimi ile güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok