Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R600CPBTMA1
IPD60R600CPBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R600CPBTMA1, 600V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 6.1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, 10V gate sürücü voltajında 600mΩ maksimum RDS(on) değeri gösterir. Düşük gate yükü (27nC) ve düşük input kapasitansı (550pF) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, SMPS (Switch Mode Power Supply), invertör devreleri ve motor sürücülerinde yaygın olarak uygulanır. 60W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle verimli tasarımları destekler. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok