Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R600C
IPD60R600CPATMA1 Hakkında
IPD60R600CPATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6.1A sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V sürücü geriliminde 600mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük kayıp karakteristiği vardır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 27nC kapı yükü (Qg) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen şu anda kullanım dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok