Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R600C6
IPD60R600C6ATMA1 Hakkında
IPD60R600C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor denetim sistemleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Şu anda yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok