Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R450E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R450E6
IPD60R450E6BTMA1 Hakkında
IPD60R450E6BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 450mOhm maksimum on-state direnci ile güç kaybını minimize eder. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak çalışır. 28nC gate charge ve 620pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Maksimum 74W güç yayınlama kapasitesiyle termal yönetimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok