Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R450E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R450E6
IPD60R450E6ATMA1 Hakkında
IPD60R450E6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 600V Drain-Source gerilimi ve 9.2A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi görür. 450mΩ on-resistance değeri ile güç tüketimini minimalize eder. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükler için anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük gate charge değeri ile enerji verimliliği arttırır. Part obsolete durumda olup, veri sayfasında detaylı elektriksel parametreler ve uygulama şemaları yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok