Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R400CEA
IPD60R400CEAUMA1 Hakkında
IPD60R400CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 14.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimiyle çalışmakta olup maksimum 400mΩ RDS(on) direncine sahiptir. Sınıfsal uygulamaları arasında güç dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi yer almaktadır. -40°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 112W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok