Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R3K4CE
IPD60R3K4CEAUMA1 Hakkında
IPD60R3K4CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtar modları güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverter uygulamalarında tercih edilir. 3.4Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmaya uygundur. 29W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 93 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok